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深圳市纳艾斯科技有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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SIEMENSTO92

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SIE

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PHITO-92

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SIEMENSTO92

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深圳市宏世佳电子科技有限公司

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BC637RL1G价格：￥0.3347品牌：ON

生产厂家品牌为ON的BC637RL1G多少钱，想知道BC637RL1G价格是多少？参考价：￥0.3347。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BC637RL1G批发价格及采购报价，BC637RL1G销售排行榜及行情走势，BC637RL1G报价。

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BC637_01制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-92 PACKAGE

BC637_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors

BC637_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC637_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC637_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC637_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC637_L34Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC637_Q功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC637-10功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 1A I(C) | TO-92

产品属性

  • 产品编号：

    BC637

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 150mA，2V

  • 频率 - 跃迁：

    200MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 1A TO92

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