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BC637分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BC637

参数属性

BC637 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A TO92

功能描述

NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current)

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

文件大小

126.58 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

SIEMENS

中文名称

西门子

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 13:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BC637(-6...-10)

  • 别名:

    BC637三极管、BC637晶体管、BC637晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC487,BC537,3DK14C,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

BC637规格书详情

NPN Silicon AF Transistors

● High current gain

● High collector current

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BC 636, BC 638, BC 640 (PNP)

产品属性

  • 产品编号:

    BC637

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A TO92

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIEMENS
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