| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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FSCTO-92 |
6000 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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10年
留言
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PHI原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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10年
留言
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PHI原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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16年
留言
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FAIRCHILDSEMTO-92-3 |
3577 |
2025+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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10年
留言
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原厂正品TO-92 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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18年
留言
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NSC原厂原装 |
284 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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16年
留言
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恩XP原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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7年
留言
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onsemiTO-92-3 |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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3年
留言
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恩XPTO-92 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保证 |
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6年
留言
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CDIL |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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5年
留言
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PHITO-92 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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16年
留言
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长电TO-92 |
24308 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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2年
留言
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CJ/长电TO-92 |
50000 |
24+ |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
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17年
留言
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CDILTO-92 |
242 |
24+ |
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18年
留言
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MOTOROLA |
1800 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
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7年
留言
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恩XPTO-92 |
2000 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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9年
留言
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CJ/长电TO-92 |
20000 |
25+ |
原装 |
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1年
留言
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CJ/长电TO-92 |
50000 |
25+ |
原装正品 |
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12年
留言
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原厂 |
53 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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11年
留言
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PHITO-92 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
BC636采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC636图片
BC636TA价格
BC636TA价格:¥0.1864品牌:Fairchild
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BC636中文资料Alldatasheet PDF
更多BC636功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC636 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC636,116功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC636_05制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor
BC636_09制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications
BC636_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC636_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC636_J35Z_09制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching and Amplifier Applications
BC636_Q功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC636-16制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors
产品属性
- 产品编号:
BC636
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 45V 1A TO92-3



























