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BC636	文件：116.45 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors HighCurrentTransistorsPNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC636	文件：86.61 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors(PNP Silicon) HighCurrentTransistorsPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC636	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPcomplements:BC635,BC637andBC639. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Audioandvideoamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC636	文件：126.87 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) PNPSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC635,BC637,BC639(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC636	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC636	文件：221.74 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURE PowerDissipation:PCM:0.83mW(Tamb=25°C)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC636	文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATIONS •ComplementtoBC635/637/639	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC636	文件：97.76 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor MediumPowerTransistorsforaudioandvideoamplifiers	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC636	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS HighCurrentTransistor	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC636	文件：721.21 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Highcurrenttransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

产品属性

产品编号：
BC636
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 45V 1A TO92-3

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深圳市一线半导体有限公司	BC636	CDIL	24+	TO-92	242		询价
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更多BC636供应商更新时间2025-7-25 16:30:00

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