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BC636	文件：62.01 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS • Complement to BC635/637/639 文件：62.01 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC636	文件：86.61 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors(PNP Silicon) High Current Transistors PNP Silicon 文件：86.61 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC636	文件：43.92 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistors DESCRIPTION PNP medium power transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. NP complements: BC635, BC637 and BC639. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Audio and video amplifiers. 文件：43.92 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC636	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS High Current Transistor 文件：121.16 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC636	文件：116.45 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors High Current Transistors PNP Silicon 文件：116.45 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC636	文件：721.21 Kbytes Page：4 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES High current transistors 文件：721.21 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC636	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：184.61 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS
BC636	文件：221.74 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURE Power Dissipation: PCM: 0.83mW (Tamb=25°C) 文件：221.74 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BC636	文件：126.87 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) PNP Silicon AF Transistors ● High current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BC 635, BC 637, BC 639 (NPN) 文件：126.87 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BC636	文件：97.76 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium Power Transistors for audio and video amplifiers 文件：97.76 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

晶体管资料

型号：
BC636(-6...-16)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC327,BC527,BC727,3CK10E,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
45
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.8

产品属性

产品编号：
BC636
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 45V 1A TO92-3

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更多BC636供应商更新时间2026-1-18 22:59:00

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