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BC636分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BC636

参数属性

BC636 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 1A TO92-3

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

121.16 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

CDIL

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更新时间

2026-1-19 22:59:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BC636(-6...-16)

  • 别名:

    BC636三极管、BC636晶体管、BC636晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BC327,BC527,BC727,3CK10E,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    45

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

BC636规格书详情

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

High Current Transistor

产品属性

  • 产品编号:

    BC636

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 1A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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