| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
304 |
2011+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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HGF/恒光发TO-92 |
5564 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Fairchild/Fairchild SemiconducTO-92 |
9848 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦 |
80000 |
1535+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童 |
65230 |
21+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILDTO-92 |
16962 |
2216+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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NSC原厂原装 |
241 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILDTO92 |
6818 |
2310+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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长电TO-92 |
24307 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO92 |
68900 |
FAIRCHILD仙童 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD仙童TO92 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
901 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-92 |
50000 |
09+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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PHILIPS |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO-92 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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CJ/长电TO-92 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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长电TO-92 |
65300 |
20+ |
一级代理/放心购买! |
BC635采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BC635图片
BC635RL1价格
BC635RL1价格：￥0.0000品牌：ON
生产厂家品牌为ON的BC635RL1多少钱，想知道BC635RL1价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BC635RL1批发价格及采购报价，BC635RL1销售排行榜及行情走势，BC635RL1报价。
BC635中文资料Alldatasheet PDF
更多BC635功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK DLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635,112功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635,116功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635,126制造商:NXP Semiconductors
BC635/D功能描述:High Current Transistors
BC635_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635_D27Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC635-16制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN medium power transistors
产品属性
- 产品编号：
BC635
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS NPN 45V 1A TO92-3
