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BC637G	文件：66.58 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors High Current Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：66.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC637G	文件：98.51 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors 文件：98.51 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC637G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDC637AN	文件：240.68 Kbytes Page：8 Pages	Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed 文件：240.68 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
OPA637	文件：381.48 Kbytes Page：27 Pages	WIDEBAND, FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：381.48 Kbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA637AP	文件：256.38 Kbytes Page：13 Pages	Precision High-Speed Difet OPERATIONAL AMPLIFIERS 文件：256.38 Kbytes 页数：13 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN

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