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MBT3946D	文件：1.2984 Mbytes Page：13 Pages	SWITCHINGTRANSISTORSDUALGENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION The MBT3946Ddeviceisaspinoffofourpopular SOT23/SOT323threeleadeddevice.Itis designedforgeneralpurposeamplifierapplications andishousedintheSOT363sixleadedsurface mountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesin onepackage,thisdeviceisidealfo	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBT3946DW	文件：335.46 Kbytes Page：11 Pages	DualGeneralPurposeTransistorNPNPNPSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MBT3946DW	文件：508.18 Kbytes Page：11 Pages	DualGeneralPurposeTransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MBT3946DW	文件：1.2984 Mbytes Page：13 Pages	SWITCHINGTRANSISTORSDUALGENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION The MBT3946Ddeviceisaspinoffofourpopular SOT23/SOT323threeleadeddevice.Itis designedforgeneralpurposeamplifierapplications andishousedintheSOT363sixleadedsurface mountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesin onepackage,thisdeviceisidealfo	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
ME3946	文件：514.88 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MMBT3946DW	文件：1.61817 Mbytes Page：6 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES eComplementaryPair eOne3904-TypeNPN One3906-TypePNP eEpitaxialPlanarDieConstruction e\|dealforLowPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMBT3946DW	文件：1.0327 Mbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPTRANSISTOR	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
MMBT3946DW	文件：636.26 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMDT3946	文件：251.97 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Complementarypair. ●One3904-TypeNPN. One3906-TypePNP. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-Smallsurfacemountpackage. ●Expitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3946	文件：318.97 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
CMLT3946
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN/PNP Complemntry
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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