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FFSD10120A	文件：399.59 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiode–EliteSiC,10A,1200V,D1,DPAK-3L Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSH10120A	文件：439.92 Kbytes Page：7 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP10120A	文件：301.35 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode1200V,10A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FP10120	文件：390.72 Kbytes Page：10 Pages	SILICONSURGESUPPRESSORDIODES [LEDEX]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FP10120A	文件：390.72 Kbytes Page：10 Pages	SILICONSURGESUPPRESSORDIODES [LEDEX]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FST10120	文件：150.63 Kbytes Page：2 Pages	10AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER 10AmpSchottkyBarrierRectifiers ●Schottkybarrierrectifier ●Guardringforreverseprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highsurgecapacity ●VRRM120to150Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FST10120	文件：96.59 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers PRV:120-150Volts Io:10Ampere FEATURES: Guardringforreverseprotection Lowpowerloss Highefficiency Highsurgecapacity *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FSV10120V	文件：228.93 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-LowVFSchottkyRectifier,10A,120V Features •Ultra−LowForwardVoltageDrop •LowThermalResistance •VeryLowProfile:TypicalHeightof1.1mm •TrenchSchottkyTechnology •GreenMoldingCompoundasperIEC61249Standard •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HU10120	文件：213.97 Kbytes Page：4 Pages	UltrafastRecoveryModules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HUR10120	文件：245.64 Kbytes Page：3 Pages	High-PerformanceWideTemperatureRangeUltraFastRecoveryEpitaxialDiode	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

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详细参数

型号：
CMF10120D
功能描述：
MOSFET ZFET 1X10A IDS 1200V ON 160MOHM SIC MOSFT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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