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CMF10120D	文件：948.54 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide Power MOSFET Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：948.54 Kbytes 页数：9 Pages	CREE 科锐	CREE
CMF10120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3	Wolfspeed(CREE)	Wolfspeed(CREE)
CS10120B	文件：340.44 Kbytes Page：4 Pages	CURRENT SENSOR 文件：340.44 Kbytes 页数：4 Pages	CUI	CUI
CS10120B	文件：332.43 Kbytes Page：4 Pages	CURRENT SENSOR FEATURES • open loop • bipolar • detects current direction • single channel 文件：332.43 Kbytes 页数：4 Pages	SAMESKY	SAMESKY
CSD10120	文件：131.79 Kbytes Page：4 Pages	ZERO RECOVERY RECTIFIER 文件：131.79 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

技术：
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
220 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
47.1nC @ 20V
Vgs（最大值）：
+25V，-5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
928pF @ 800V
功率耗散（最大值）：
134W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 135°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-247
封装/外壳：
TO-247-3

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