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CMD30N10B	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS	CMOS 场效应	CMOS
HM30N10	文件：937.47 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：937.47 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM30N10D	文件：608.79 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：608.79 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
STB30N10	文件：43.61 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL 100V - 0.06ohm - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL 100V - 0.06Ω - 30A - D2PAK POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.06 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ SURFACE-MOUNTING D2PAK 文件：43.61 Kbytes 页数：5 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Type：
SMD/MOS
Vdss(V)：
100
Ids(A)：
30
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.035
Channel：
N场
Pd(W)：
60
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CMD30N10B供应商更新时间2026-7-28 12:00:00

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