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HM30N10D	文件：608.79 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：608.79 Kbytes 页数：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM30N10D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以上)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
HM30N10K	文件：649.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：649.21 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
LMAK30N10	文件：1.12796 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.12796 Mbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
P30N10	文件：1.05035 Mbytes Page：13 Pages	N-channel 100 V, 0.02 廓 typ., 32 A STripFET??F7 Power MOSFET in a TO-220 package Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Features  Among the lowest RDS(o 文件：1.05035 Mbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

封装（Package）：
DFN5X6-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
100.00V
ID(Max)ID(A)：
30.00A
IDM：
90.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
12.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON6482/AON6484/AON6486/Si7456DDP/SM1A24NSKP/IRFH5110/IRFH5210/AON6452/IRFH5053/IRLH5030/IRFH7110/SiR698DP/Si7454DDP/IRFH5010

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