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D291S	文件：81.56 Kbytes Page：5 Pages	EuropeanPower-SemiconductorandElectronicsCompany	eupec eupec GmbH	eupec
E291	文件：85.14 Kbytes Page：2 Pages	T-13/4Bi-ColorLEDs(VeryBright) T-1¾FlashingLEDs,T-1¾Bi-ColorLEDs(VeryBright)	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
EW291	文件：749.07 Kbytes Page：1 Pages	1/8WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
FDBZ291	文件：820.14 Kbytes Page：8 Pages	Automaticfiredetectors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
FDMA291P	文件：130.1 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-Channel1.8VSpecifiedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA291P	文件：902.04 Kbytes Page：6 Pages	SingleP-Channel1.8VSpecifiedPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDZ291P	文件：247.4 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel1.5VSpecifiedPowerTrench짰BGAMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDZ291P	文件：170.32 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel1.5VSpecifiedPowerTrenchBGAMOSFET GeneralDescription CombiningFairchild’sadvanced1.5VspecifiedPowerTrenchprocesswithstateoftheartBGApackaging,theFDZ291PminimizesbothPCBspaceandRDS(ON).ThisBGAMOSFETembodiesabreakthroughinpackagingtechnologywhichenablesthedevicetocombineexcellentthermaltransf	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FODM291	文件：507.56 Kbytes Page：8 Pages	SingleChannel,DCSensingInput,PhototransistorOptocouplerInHalf-PitchMini-Flat4-PinPackage TheFODM291seriesconsistofagalliumarsenideinfraredemitting diodedrivingaphototransistor.Itbuiltinacompact,half−pitch, mini−flat,4−pinpackage.Theleadpitchis1.27mm. Features •CurrentTransferRatioRangesfrom80to600 atIF=5mA,VCE=5V,TA=25°C ♦FODM291A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FODM291A	文件：507.56 Kbytes Page：8 Pages	SingleChannel,DCSensingInput,PhototransistorOptocouplerInHalf-PitchMini-Flat4-PinPackage TheFODM291seriesconsistofagalliumarsenideinfraredemitting diodedrivingaphototransistor.Itbuiltinacompact,half−pitch, mini−flat,4−pinpackage.Theleadpitchis1.27mm. Features •CurrentTransferRatioRangesfrom80to600 atIF=5mA,VCE=5V,TA=25°C ♦FODM291A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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技术参数

频率最大值(GHz)：
24
Pout(W)：
0.35
增益(dB)：
23
OIP3(dBm)：
33
电压(V)：
3 to 5
电流(mA)：
250
封装类型：
Die
RoHS：
Yes
Lead Free：
Yes
Halogen Free：
Yes
ITAR Restricted：
No
ECCN：
EAR99

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更多CMD291供应商更新时间2025-7-29 17:37:00

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