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CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ●CollectorCurrent:ICM=0.6A ●Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ●Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：737.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180v)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
CXT5551	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：285.83 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony •Lowcurrent(max.600mA) •Highvoltage(max.180v)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
CXT5551	文件：193.01 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Switchingandamplificationinhighvoltage. ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180V) APPLICATIONS ●Highvoltageamplifierapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
CXT5551	文件：911.52 Kbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors Features Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.600mA) Highvoltage(max.180V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
CXT5551E	文件：127.17 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-89case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50nAMax •LowSaturationVol	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551HC	文件：121.14 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551HCtypeisanhighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CYT5551D	文件：103.92 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUAL,ISOLATEDNPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
CMBT5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V HighVolt
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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