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CZT5401E	文件：152.07 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT5401EisaPNPSiliconTransistor,packagedinanSOT-223case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltage. MARKING:FULLPARTNUMBER FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V •LowLeakageCurrent50n	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DM5401	文件：97.92 Kbytes Page：4 Pages	Quad2-InputNANDGateswithOpen-CollectorOutputs	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DMBT5401	文件：228.07 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT5401	文件：99.59 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-150V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •PairofPNPTransistorsthatareIntrinsicallyMatched(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5401	文件：178 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5401	文件：83.7 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DMMT5401	文件：117.86 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5401	文件：1.36268 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypeAvailable(DMMT5551) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) ●2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) ●1MatchedTolerance,Available(Note2) ●AlsoAvailab	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
DMMT5401-TP	文件：83.7 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpitaxialPlanarDieConstruction •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4S	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DW5401	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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详细参数

型号：
CMBT5401
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP,0.5A,150V HighVolt
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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