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CMBT5401	文件：105.96 Kbytes Page：3 Pages	SILICON P-N-P HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR SILICONP–N–PHIGH–VOLTAGETRANSISTOR SOT-23FormedSMDPackage P–N–Ptransistor	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMBT5401	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
CMPT5401	文件：78.34 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5401typeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications MARKINGCODE:C2L	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5401E	文件：119.1 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5401EisanPNPSiliconTransistor,packagedinanSOT-23case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging MARKINGCODE:C540 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5401	文件：118.77 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5401typeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:4C5	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5401E	文件：355.15 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5401EisaPNPSiliconTransistor,packagedinanSOT-523case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:4C5 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5401	文件：100.95 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5401typeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5401	文件：398.32 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponreques	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5401	文件：613.68 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURE Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.500mA) Highvoltage(max.160v)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
CXT5401	文件：1.82705 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURE Switchingandamplificationinhighvoltage Applicationssuchastelephony Lowcurrent(max.500mA) Highvoltage(max.160v)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

详细参数

型号：
CMBT5401
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP,0.5A,150V HighVolt
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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