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CMB80N06A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS	CMOS 场效应	CMOS
CMB80N06P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS	CMOS 场效应	CMOS
FDP80N06	文件：453.42 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 文件：453.42 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDP80N06	文件：332.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.09mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：332.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
HM80N06K	文件：570.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：570.21 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Type：
SMD/MOS
Vdss(V)：
60
Ids(A)：
90
Vth(V)：
4
Rds(Ω)-10V：
0.0065
Channel：
N场
Pd(W)：
170
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