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丝印：CM012B；Package：TSSOP；CMOS NAND GATES Features: Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL =50 pF, Vpp = 10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics Maximum input current of 1 uA at 18 V over full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C = 100% tested for quiescent curre 文件：1.0201 Mbytes 页数：23 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印：CM012B；Package：TSSOP；CMOS NAND GATES Features: Propagation delay time = 60 ns (typ.) at CL =50 pF, Vpp = 10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics Maximum input current of 1 uA at 18 V over full package temperature range; 100 nA at 18 V and 25°C = 100% tested for quiescent curre 文件：1.0201 Mbytes 页数：23 Pages | TI 德州仪器 | TI |
详细参数
- 型号：
CM012B
- 功能描述：
逻辑门 CMOS Dual 4-Input NAND Gate
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 产品：
OR
- 逻辑系列：
LVC
- 栅极数量：
2
- 线路数量（输入/输出）：
2/1
- 高电平输出电流：
- 16 mA
- 低电平输出电流：
16 mA
- 传播延迟时间：
3.8 ns
- 电源电压-最大：
5.5 V
- 电源电压-最小：
1.65 V
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
DCU-8
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI/德州仪器 |
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