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CLK80R1K2C

800V N-Channel Super Junction MOSFET

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锴威特

MMD80R1K2P

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.33039 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMD80R1K2PRH

800V 1.2(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.33039 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMD80R1K2PRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:353.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

技术参数

  • Package:

    TO-262

  • Configuration:

    single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • FRD Diode:

    No

  • VDS(V):

    800

  • VGS(±V):

    30

  • ID* (A) @25°C:

    5

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp:

    1000

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax:

    1200

  • VGS(th) (V)min:

    2.5

  • VGS(th) (V)max:

    4.5

  • Ciss (pF):

    598

  • Coss (pF):

    30

  • Crss (pF):

    4

  • Qg* (nC):

    13

  • Qgd (nC):

    3

  • Trr (ns):

    250

  • Qrr (uC):

    2100

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更多CLK80R1K2C供应商 更新时间2025-12-22 16:55:00