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CLF1G0060-10分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

CLF1G0060-10
厂商型号

CLF1G0060-10

参数属性

CLF1G0060-10 封装/外壳为SOT-1227A;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A

功能描述

RF Manual 16th edition

封装外壳

SOT-1227A

文件大小

9.37507 Mbytes

页面数量

130

生产厂商 恩XP
原厂标识

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-8-3 14:06:00

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CLF1G0060-10规格书详情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

产品属性

  • 产品编号:

    CLF1G0060-10U

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    GaN HEMT

  • 频率:

    3GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 输出:

    10W

  • 封装/外壳:

    SOT-1227A

  • 供应商器件封装:

    CDFM2

  • 描述:

    RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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