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CLF1G0035S-100P分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

CLF1G0035S-100P

参数属性

CLF1G0035S-100P 封装/外壳为SOT-1228B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

功能描述

Broadband RF power GaN HEMT

封装外壳

SOT-1228B

文件大小

1.46696 Mbytes

页面数量

16

生产厂商

Ampleon

中文名称

安谱隆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 9:02:00

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CLF1G0035S-100P规格书详情

General description

The CLF1G0035-100P and CLF1G0035S-100P are 100 W general purpose broadband

GaN HEMTs usable from DC to 3.5 GHz.

Features and benefits

 Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz

 100 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT

 Excellent ruggedness (VSWR = 10 : 1)

 High voltage operation (50 V)

 Thermally enhanced package

Applications

 Commercial wireless infrastructure

(cellular, WiMAX)

 Industrial, scientific, medical

 Radar  Jammers

 Broadband general purpose amplifier  EMC testing

 Public mobile radios  Defense application

产品属性

  • 产品编号:

    CLF1G0035S-100PU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    GaN HEMT

  • 频率:

    3GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 输出:

    100W

  • 封装/外壳:

    SOT-1228B

  • 供应商器件封装:

    LDMOST

  • 描述:

    RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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