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CLF1G0035S-100分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
CLF1G0035S-100 |
参数属性 | CLF1G0035S-100 封装/外壳为SOT-1228B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B |
功能描述 | Broadband RF power GaN HEMT |
封装外壳 | SOT-1228B |
文件大小 |
1.74588 Mbytes |
页面数量 |
20 页 |
生产厂商 | Ampleon USA Inc. |
企业简称 |
AMPLEON【安谱隆】 |
中文名称 | 安谱隆官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 20:00:00 |
人工找货 | CLF1G0035S-100价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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CLF1G0035S-100规格书详情
CLF1G0035S-100属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安谱隆制造生产的CLF1G0035S-100晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
General description
CLF1G0035-100 and CLF1G0035S-100 are broadband general purpose 100 W
amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of
operation is from DC to 3.5 GHz.
Features and benefits
Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz
100 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT
Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)
High voltage operation (50 V)
Thermally enhanced package
Applications
Commercial wireless infrastructure
(cellular, WiMAX)
Industrial, scientific, medical
Radar Jammers
Broadband general purpose amplifier EMC testing
Public mobile radios Defense application
产品属性
更多- 产品编号:
CLF1G0035S-100PU
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
GaN HEMT
- 频率:
3GHz
- 增益:
14dB
- 功率 - 输出:
100W
- 封装/外壳:
SOT-1228B
- 供应商器件封装:
LDMOST
- 描述:
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
3251 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
2022+ |
LDMOST |
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恩XP |
24+ |
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AMPLEON |
23+ |
SMD |
50000 |
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恩XP |
23+ |
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恩XP |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
SOT1228B |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |