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CLF1G0035S-100分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

CLF1G0035S-100
厂商型号

CLF1G0035S-100

参数属性

CLF1G0035S-100 封装/外壳为SOT-1228B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

功能描述

Broadband RF power GaN HEMT
RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

封装外壳

SOT-1228B

文件大小

1.74588 Mbytes

页面数量

20

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

AMPLEON安谱隆

中文名称

安谱隆官网

原厂标识
AMPLEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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CLF1G0035S-100规格书详情

CLF1G0035S-100属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由安谱隆制造生产的CLF1G0035S-100晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

General description

CLF1G0035-100 and CLF1G0035S-100 are broadband general purpose 100 W

amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of

operation is from DC to 3.5 GHz.

Features and benefits

 Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz

 100 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT

 Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)

 High voltage operation (50 V)

 Thermally enhanced package

Applications

 Commercial wireless infrastructure

(cellular, WiMAX)

 Industrial, scientific, medical

 Radar  Jammers

 Broadband general purpose amplifier  EMC testing

 Public mobile radios  Defense application

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CLF1G0035S-100PU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    GaN HEMT

  • 频率:

    3GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 输出:

    100W

  • 封装/外壳:

    SOT-1228B

  • 供应商器件封装:

    LDMOST

  • 描述:

    RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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