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HS-A287C-FREQ	文件：376.81 Kbytes Page：2 Pages	DifferentialPositiveECL(DPECL) Description TheHS-2870SeriesofquartzcrystaloscillatorsprovideMECL10Kand10KHseriescompatiblesignalsinindustrystandardfour-pinDIPhermeticpackages.Systemsdesignersmaynowspecifyspace-saving,cost-effectivepackagedPECLoscillatorstomeettheirtimingrequirements.This	NEL Nel Frequency Controls,inc	NEL
IGS287	文件：186.65 Kbytes Page：3 Pages	Inductivesensor	IFMifm electronic Ltd. 易福门电子易福门电子（上海）有限公司（中国总部）	IFM
IMX287LLR	文件：669.05 Kbytes Page：2 Pages	CMOSImageSensorswith3.45μmand6.9μmPixelsandGlobalShutterFunctionforIndustrialandSensingApplicationsustrial ■Globalshutterfunction ■Highframerate ■Avarietyoffunctions(externaltriggermode,multipleexposurefunction, ROImode,multipleimagesensorsynchronizationfunction,etc.) ■Compactdevicesize(14mm×14mm) ■Expandedlineup(3.45μmpixeland6.9μmpixel,SubLVDS,MIPIinte	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IMX287LQR	文件：669.05 Kbytes Page：2 Pages	CMOSImageSensorswith3.45μmand6.9μmPixelsandGlobalShutterFunctionforIndustrialandSensingApplicationsustrial ■Globalshutterfunction ■Highframerate ■Avarietyoffunctions(externaltriggermode,multipleexposurefunction, ROImode,multipleimagesensorsynchronizationfunction,etc.) ■Compactdevicesize(14mm×14mm) ■Expandedlineup(3.45μmpixeland6.9μmpixel,SubLVDS,MIPIinte	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
IS287	文件：157.4 Kbytes Page：1 Pages	1Wepoxysealtype	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
KDV287	文件：34.3 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiode Features ●HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=7.6(Typ.) ●LowSeriesResistance:rs=1.9Ω(Typ.) ●ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. ●UsefulforSmallSizeTuner.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KDV287	文件：64.41 Kbytes Page：1 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(UHFSHFTUNING) UHFSHFTUNING. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=7.6(Typ.) •LowSeriesResistance:rS=1.9ή(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KDV287E	文件：62.71 Kbytes Page：1 Pages	VARIABLECAPACITANCEDIODESILICONEPITAXIALPLANARDIODE(UHFSHFTUNING) UHFSHFTUNING. FEATURES •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=7.6(Typ.) •LowSeriesResistance:rS=1.9Ω(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError. •UsefulforSmallSizeTuner.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
L-287	文件：22.16 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductor	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LA287B-G-PF	文件：123.72 Kbytes Page：6 Pages	LEDARRAY	LIGITEK Ligitek electronic	LIGITEK

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