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MJ10015	文件：217.07 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SWITCHMODESeriesNPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10015andMJ10016Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforline–operatedsw	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ10015	文件：217.07 Kbytes Page：6 Pages	50AMPERENPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS400AND500VOLTS250WATTS SWITCHMODESeriesNPNSiliconPowerDarlingtonTransistorswithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10015andMJ10016Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforline–operatedsw	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ10015	文件：181.25 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(50A,400-500V,250W) SWITCHMODESERIESNPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORSWITHBASE-EMITTERSPEEDUPDIODE TheMJ10015andMJ10016Darlingtontransistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforline–operatedsw	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MUR10015CT	文件：620.3 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECTIFIERS ULTRAFASTSWITCHMODEPOWERRECTIFIER ...designedforuseinswitchingpowersupplies,inverters,andasfreewheelingdiodes.Thesestate-of-the-artdeviceshavethefollowingfeatures: ●DualDiodeConstruction ●LowLeakageCurrent ●LowForwardVoltage ●175°COperatingJunctionTemperatu	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
PS-10015	文件：513.15 Kbytes Page：2 Pages	100WSingleOutputIndustrialDINRailPowerSupply	ALTECH Altech Corporation	ALTECH
PTC10015	文件：344.75 Kbytes Page：3 Pages	NPNDarlingtonTransistors NPNDarlingtonTransistorsTO-204MA(TO-3)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PTF10015	文件：221.09 Kbytes Page：6 Pages	50Watts,300-960MHzGOLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTF10015isa50WattLDMOSFETintendedforlargesignalamplifierapplicationsfrom300to960MHz.Itoperatesat55efficiencyand13.0dBofgain.Nitridesurfacepassivationandfullgoldmetallizationareusedtoensureexcellentdevicelifetimeandreliability. Features	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
SB10015M	文件：42.2 Kbytes Page：3 Pages	LowIRSchottkyBarrierDiode15V,1.0ARectifier 15V,1.0ARectifier Features •Smallswitchingnoise •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(mountingheight0.85mm) Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SB10015M	文件：748.2 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode 15V,1A,LowIR,SingleMCPH3 Features •Smallswitchingnoise •Halogenfreecompliance •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(mountingheight0.85mm) Appl	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SB10015M-TL-E	文件：475.76 Kbytes Page：6 Pages	15V,1.0ARectifier	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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