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CJP75N80-TO220H-3L	文件：366.98 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：366.98 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP80N03	文件：996.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：996.62 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJP80N03	文件：1.09793 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.09793 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CJP80N04	文件：1.45351 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.45351 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CJP80N04	文件：1.35541 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.35541 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJP85N80	文件：1.24875 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.24875 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJP85N80	文件：1.09622 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.09622 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CJP85N80-TO220-3L	文件：377.31 Kbytes Page：2 Pages	N - Channel Power MOSFET 文件：377.31 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF01N65B	文件：343.15 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件：343.15 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJPF02N60	文件：1.71209 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.71209 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

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技术参数

Process：
Planar
ESDYes/No：
No
VDSV：
650
VGSV：
±20
IDA：
2
VGS(TH)V：
2~4
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
3800
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
4400
Package：
TO-220-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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