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CJP85N80	文件：1.24875 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：1.24875 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJP85N80	文件：1.09622 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.09622 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CJP85N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	JSCJ 长晶科技	JSCJ
CJP85N80-TO220-3L	文件：377.31 Kbytes Page：2 Pages	N - Channel Power MOSFET 文件：377.31 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
80A
栅源极阈值电压：
4V @ 250uA
漏源导通电阻：
8.5mΩ @ 40A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
2W
类型：
N沟道

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CJP85N80供应商更新时间2026-4-17 18:03:00

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