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CJP50N06	文件：2.80683 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：2.80683 Mbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJP50N06	文件：1.4536 Mbytes Page：6 Pages	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET 文件：1.4536 Mbytes 页数：6 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
CJP55H12	文件：696.89 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：696.89 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
CJP60J1R0J	文件：199.7 Kbytes Page：4 Pages	Aluminium Enclosed Resistor 文件：199.7 Kbytes 页数：4 Pages	TEC 泰科电子	TEC
CJP718	文件：1.67896 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors 文件：1.67896 Mbytes 页数：4 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP71N90-TO220-3L	文件：385.93 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET 文件：385.93 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP71N90-TO220H-3L	文件：399.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET 文件：399.58 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP75N75-TO220-3L	文件：405.92 Kbytes Page：2 Pages	N - Channel Power MOSFET 文件：405.92 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP75N75-TO220H-3L	文件：398.2 Kbytes Page：2 Pages	N -Channel Power MOSFET 文件：398.2 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP75N80-TO220-3L	文件：342.48 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：342.48 Kbytes 页数：2 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI

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技术参数

Process：
Planar
ESDYes/No：
No
VDSV：
650
VGSV：
±20
IDA：
2
VGS(TH)V：
2~4
RDS(mΩ)@VGS10V Typ：
3800
RDS(mΩ)@VGS10V Max：
4400
Package：
TO-220-3L

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