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CEB35P03	文件：103.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-35A,RDS(ON)=36mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=57mΩ@VGS=-5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP35P03	文件：103.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-35A,RDS(ON)=36mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=57mΩ@VGS=-5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
HM35P03	文件：1.37951 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM35P03D	文件：1.21556 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
PJD35P03	文件：446.13 Kbytes Page：8 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-8A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPR35P03	文件：336.14 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD35P03	文件：364.97 Kbytes Page：4 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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深圳市联成美业电子有限公司	CJAB35P03低压MOS管	CJ/长晶	22+		24000	询价拨打15919799957全天在线	询价
深圳市广弘电子有限公司	CJAB35P03低压MOS管	CJ/长晶	2021+	PDFNWB3.33.3-8L	1000	13632880263	询价
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深圳市百视威讯电子科技有限公司	CJAB3R9SN04C		23+	N/A	58300	一级代理放心采购	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CJAB40N03	CJ/长电	22+	QFN	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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更多CJAB35P03低压MOS管供应商更新时间2024-6-17 14:03:00

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