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CEP35P03	文件：103.09 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-35A,RDS(ON)=36mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=57mΩ@VGS=-5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
HM35P03	文件：1.37951 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM35P03D	文件：1.21556 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
PJD35P03	文件：446.13 Kbytes Page：8 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-8A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPR35P03	文件：336.14 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSD35P03	文件：364.97 Kbytes Page：4 Pages	P-ChEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

更多CEP35P03供应商更新时间2025-7-12 13:58:00