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KRA559E	文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA559U	文件：89.86 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MC559	文件：122.95 Kbytes Page：2 Pages	4wide3-2-2-3inputexpanderforand-or-invertgae 4WIDE3-2-2-3INPUTEXPANDERFORAND-OR-INVERTGATES	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MIL-PRF-559	文件：240.13 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountQuadNPNTransistor Description:The2N6989U(TX,TXV)isahermeƟcallysealed,ceramicsurface‐mountdevice,consisƟngof4siliconNPNtransistors.The20pinceramicpackageisidealfordesignswhereboardspaceanddeviceweightareimportantdesignconsideraƟons. TypicalscreeninglotacceptancetestareperM	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
MRF559	文件：208.6 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF559	文件：136.27 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF559G	文件：136.27 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:DesignedprimarilyforwidebandlargesignalstagesintheUHFfrequencyrange. Features •Specified@12.5V,870MHzCharacteristics •OutputPower=.5W •MinimumGain=8.0dB •Efficiency50 •CostEffectiveMacroXPackage •ElectrolessTinPlatedLeadsforImprovedSold	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MUR559	文件：60.03 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR559	文件：56.08 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
OD-S559	文件：251.56 Kbytes Page：3 Pages	1310nmDFB-LDModule 1310nmDFB-LDModulewithbuilt-inopticalisolator APPLICATIONS •CATVreturnlink	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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