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IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054	文件：1.56179 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054	文件：1.56651 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
IRFP054	文件：204.36 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage-:VDSS=60V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.014Ω(Max) •FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP054	文件：1.59347 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054	文件：846.67 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesi	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP054N	文件：109.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.012ohm,Id=81A?? Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP054N	文件：335.03 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •UltraLowOn-resistance •FastSwitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤12mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP054N	文件：729.95 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-247packageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelsprecludetheuseofTO-220devices.TheTO-247issimilarbutsuperiortotheearlierTO-218packagebecauseofitsisolatedmountinghole. ●AdvancedProcessTechnology ●Dynamicdv/dt	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFP054NPBF	文件：1.49884 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
CH054S
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
2 AMP SCHOTTKY RECTIFIER DIE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CH054S供应商更新时间2025-7-21 14:01:00

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