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CGHV60075D5-GP4	文件：300 bytes Page：1 Pages	75 W; 6.0 GHz; GaN HEMT Die The CGHV60075D5 is a gallium-nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide; including higher breakdown voltage; higher saturated-electron-drift velocity; and higher thermal conductivity. GaN HEMTs offer greater power densi ·65% Typical Power Added Efficiency at 4 GHz\n·60% Typical Power Added Efficiency at 6 GHz\n·75 W Typical PSAT\n·50 V Operation\n·High Breakdown Voltage\n·Up to 6 GHz Operation;	MACOM	MACOM
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CGRM4007-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD123	COMCHIP 典琦上传：深圳市粤科源兴科技有限公司	COMCHIP

技术参数

Min Frequency(MHz)：
0
Max Frequency(MHz)：
6000
Peak Output Power(W)：
75
Gain(dB)：
7.0
Efficiency(%)：
65
Operating Voltage(V)：
50
Form：
Discrete Bare Die
Package Category：
Die
Technology：
GaN-on-SiC

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更多CGHV60075D5-GP4供应商更新时间2026-1-26 14:16:00

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