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CGHV1J070D	文件：982.33 Kbytes Page：10 Pages	70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die Description Wolfspeed’sCGHV1J070Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μm gatelengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhigh frequency,highefficiencyfeatures.Itisidealfor	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
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CGHV1J070D

文件：982.33 Kbytes

Page：10 Pages

70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCGHV1J070Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μm gatelengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhigh frequency,highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

WOLFSPEED

CGHV1J070D

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70 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科锐

Cree

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更多CGHV1J070D供应商更新时间2025-7-12 16:41:00

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