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CEW20N65SA

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 700V@TJ max, 20A, RDS(ON) = 0.18W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-247 package. RoHS compliant.

文件:455.8 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEW20N65SA

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CS20N65A

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:443.71 Kbytes 页数:5 Pages

LINGXUN

凌讯微电子

FIR20N65AFG

Low Intrinsic Capacitances

文件:2.68488 Mbytes 页数:8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR20N65FG

N-Channel Power MOSFET

文件:8.63665 Mbytes 页数:10 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • BVDSS(V):

    650

  • Rds(on)mΩ@10V:

    180

  • ID(A):

    20

  • Qg(nC)@10V(typ):

    42

  • RθJC(℃/W):

    0.61

  • Pd(W):

    205

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

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更多CEW20N65SA供应商 更新时间2026-1-26 17:11:00