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CEU55N15	文件：514.179 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V,55A,RDS(ON)=17mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED55N15	文件：514.179 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,55A,RDS(ON)=17mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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更多CEU55N15供应商更新时间2025-5-22 9:03:00

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