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CEU55N15	文件：514.179 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 55A, RDS(ON) = 17mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. 文件：514.179 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
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