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CED55N15	文件：514.179 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 55A, RDS(ON) = 17mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. 文件：514.179 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU55N15	文件：514.179 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 55A, RDS(ON) = 17mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. 文件：514.179 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEDM7001	文件：0 bytes Page：0 Pages	CENTERL SOT883	CENTERL 上传：深圳市赛尔通科技有限公司	CENTERL
CEDM7001TRPB-FREE	文件：0 bytes Page：0 Pages	CENTRAL SOT883	Central 上传：深圳市旺财半导体有限公司	Central
Celeron847	文件：0 bytes Page：0 Pages	Intel BGA1023	Intel 英特尔上传：深圳市英科美电子有限公司	Intel

更多CED55N15供应商更新时间2025-10-4 16:30:00