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CEP90N15	文件：513.429 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：513.429 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP90N15	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
FQA90N15	文件：749.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Power MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Features • 90A, 150V, RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V • Low gate charge (typical 220 nC) • Low Crss (typical 200 pF) • Fast switching • 1 文件：749.16 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQA90N15	文件：678.55 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Features • 90A, 150V, RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V • Low gate charge (typical 220 nC) • Low Crss (typical 200 pF) • Fast switching • 1 文件：678.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQH90N15	文件：678.55 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Power MOSFET Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Features • 90A, 150V, RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V • Low gate charge (typical 220 nC) • Low Crss (typical 200 pF) • Fast switching • 1 文件：678.55 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

BVDSS(V)：
150
Rds(on)mΩ@10V：
11.5
ID(A)：
87
Qg(nC)@10V(typ)：
39
RθJC(℃/W)：
0.8
Pd(W)：
156
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	CEP913(J14116)	TI	24+	SSOP28	18766	公司现货库存,支持实单	询价
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更多CEP90N15供应商更新时间2026-4-8 22:59:00

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