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CEP25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 200A, RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.5 mW @VGS = 9V. RoHS compliant. 文件：448.77 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP25A04	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
FG25A04	文件：192.23 Kbytes Page：2 Pages	25.0 Amps. Glass Passivated Power Rectifiers High reliability 文件：192.23 Kbytes 页数：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
AR25A04	文件：152.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Rectifier 文件：152.91 Kbytes 页数：2 Pages	YANGJIE 扬杰电子	YANGJIE
CEB25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 200A, RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.5 mW @VGS = 9V. RoHS compliant. 文件：448.77 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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