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CEP25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V,200A,RDS(ON)=2.3mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=2.5mW@VGS=9V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
AR25A04	文件：152.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
CEB25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 40V,200A,RDS(ON)=2.3mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=2.5mW@VGS=9V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
FG25A04	文件：192.23 Kbytes Page：2 Pages	25.0Amps.GlassPassivatedPowerRectifiersHighreliability	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI

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