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CEB25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 200A, RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.5 mW @VGS = 9V. RoHS compliant. 文件：448.77 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB25A04	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEP25A04	文件：448.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 40V, 200A, RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.5 mW @VGS = 9V. RoHS compliant. 文件：448.77 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
FG25A04	文件：192.23 Kbytes Page：2 Pages	25.0 Amps. Glass Passivated Power Rectifiers High reliability 文件：192.23 Kbytes 页数：2 Pages	FCI 富加宜	FCI

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