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CEP13N5

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:418.41 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CEP13N5

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CEP13N5A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:497.28 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CEP13N5A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:495.22 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEP13N5B

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:534.16 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CEP13N5B

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    500

  • RDS(on)mΩ@10V:

    480.0

  • ID(A):

    13.0

  • Qg(nC)@10V(typ):

    66.0

  • RθJC(℃/W):

    0.7

  • PD(W):

    214.0

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DPAK4LEA
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CET/華瑞
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更多CEP13N5供应商 更新时间2025-11-29 11:43:00