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CEP1195	文件：437.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：437.74 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP1195	文件：583.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：583.01 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：532.19 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP125N15	文件：424.12 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：424.12 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP12N5	文件：648.58 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：648.58 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP12N6	文件：708.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：708.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP12N6	文件：417.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：417.01 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP12N65	文件：392.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：392.28 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP12N65A	文件：525.04 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：525.04 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP12N65LN	文件：519.87 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：519.87 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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技术参数

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
8.2
Rds(on)mΩ@4.5V：
10.5
ID(A)：
92
Qg(nC)@4.5V(typ)：
23
RθJC(℃/W)：
1.2
Pd(W)：
125
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	CEP12P10	TO-220	1215+	TO-220	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEP12P10	CET	23+	TO220/3	5500	现货,全新原装	询价
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深圳市欧立现代科技有限公司	CEP125-1R0MC-H	SUMIDA	24+		6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEP12D38NP-1R1MC-H		24+		1000		询价
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