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CEP10P10	文件：401.49 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -100V, -9A, RDS(ON) =350mΩ @VGS = -10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package 文件：401.49 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP110P03	文件：406.74 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -30V, -105.5A, RDS(ON) =5.8mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =8.5mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：406.74 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP110P03	文件：652.69 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -105.5A, RDS(ON) =5.8mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) =8.5mW @VGS = -4.5V. 文件：652.69 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP1175	文件：397.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：397.54 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP1185	文件：626.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：626.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：362.71 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP1186	文件：640.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：640.2 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：905.88 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：421.19 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP1194	文件：560.71 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：560.71 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

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技术参数

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
8.2
Rds(on)mΩ@4.5V：
10.5
ID(A)：
92
Qg(nC)@4.5V(typ)：
23
RθJC(℃/W)：
1.2
Pd(W)：
125
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	CEP12P10	TO-220	1215+	TO-220	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEP16N10L	CET	23+	TO-220	15000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	CEP125-1R0MC-H	SUMIDA	24+		6980	原装现货,可开13%税票	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEP12D38NP-1R1MC-H		24+		1000		询价
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