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CEP03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：518.78 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP03N100	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEU03N100	文件：434.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 1000V, 3A, RDS(ON) = 6W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：434.23 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：518.78 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED03N100	文件：434.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 1000V, 3A, RDS(ON) = 6W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：434.23 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEF03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：518.78 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
1000
Rds(on)mΩ@10V：
6000
ID(A)：
3.3
Qg(nC)@10V(typ)：
25
RθJC(℃/W)：
0.9
Pd(W)：
166
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEP03N100供应商更新时间2025-10-11 14:02:00

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