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CEB03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED03N100	文件：434.23 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 1000V,3A,RDS(ON)=6W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEU03N100	文件：434.23 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 1000V,3A,RDS(ON)=6W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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更多CEB03N100供应商更新时间2025-5-28 14:02:00

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