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CED03N100	文件：434.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 1000V, 3A, RDS(ON) = 6W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：434.23 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED03N100	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEF03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：518.78 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP03N100	文件：518.78 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：518.78 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEU03N100	文件：434.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 1000V, 3A, RDS(ON) = 6W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. 文件：434.23 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
1000
Rds(on)mΩ@10V：
6000
ID(A)：
3
Qg(nC)@10V(typ)：
25
RθJC(℃/W)：
1.35
Pd(W)：
111
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	CED03N8	CET	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	CED03N8	CET	13+	TO-251	551	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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