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CEP100N10L	文件：513.83 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V,92A,RDS(ON)=8.2mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=10.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP10N4	文件：87.64 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP10N4	文件：875.51 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP10N6	文件：627.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP10N6	文件：45.27 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP10N65	文件：390.98 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP10N65	文件：733.35 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP10P10	文件：401.49 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-100V,-9A,RDS(ON)=350mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
CEP
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CEP1195	CET/華瑞	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEP1195	CET	13+	TO-220	598	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市振宏微科技有限公司	CEP1195	CET	23+	TO-220	28000	原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	CEP1195	CET	23+	TO-220	12800	公司只有原装欢迎来电咨询。	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CEP1195	CET/華瑞	24+	NA/	4048	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEP1195	CET	22+	TO-220	20000	原装现货,假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEP1195	CET	23+	TO-220	598	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CEP1195	CET/華瑞	24+	TO-220	60000		询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	CEP1195	CET	21+	TO-220	598	原装现货假一赔十	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEP123-1R2M		24+		1500		询价

更多CEP供应商更新时间2025-7-27 11:00:00

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