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CEP04N7G	文件：647.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：647.56 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP05N65	文件：634.28 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：634.28 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP05N65	文件：410.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired 文件：410.8 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP05P03	文件：485.53 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：485.53 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEP05P03	文件：892.36 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -18A,RDS(ON) = 70mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 120mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：892.36 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP06N5	文件：41.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 500V , 6.6A , RDS(ON)=1Ω @VGS=10V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handling capability. ● TO-220 & TO-263 package. 文件：41.67 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEP06N7	文件：605.67 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：605.67 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP06N7	文件：381.13 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：381.13 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP07N65	文件：416.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：416.48 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP07N65A	文件：336.06 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：336.06 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

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技术参数

Ppp(W)：
200
VRWM(V)：
160
VBRMin(V)：
178
VBRMax(V)：
197
IR(uA)：
1
it(mA)：
1
VC(V)：
259
IPP(A)：
0.7
Package：
SOD-123FL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SMF160CA	TWGMC臺灣迪嘉	25+	SOD-123FL	36000	TWGMC臺灣迪嘉原装现货SMF160CA即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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