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CEP07N65A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:336.06 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CEP07N65A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.

文件:822.56 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CEP07N65A

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.80142 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

CEP07N65A

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    650

  • Rds(on)mΩ@10V:

    1450

  • ID(A):

    7

  • Qg(nC)@10V(typ):

    28

  • RθJC(℃/W):

    1

  • Pd(W):

    150

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
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TO-220
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CET
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CET/華瑞
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TO-220
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更多CEP07N65A供应商 更新时间2025-10-10 14:02:00