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CEM3119A-1

Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)

20V, 8A, RDS(ON) = 20mW @VGS = 4.5V. FEATURES -30V, -6A, RDS(ON) = 34mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 52mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 26mW @VGS = 2.5V.

文件:584.36 Kbytes 页数:7 Pages

CET-MOS

华瑞

CEM3119A-1

Dual N & P MOSFET

CET

华瑞

CEM6086L

SOP-8

CEP14A04

TO251

CEP15M3

TO251

技术参数

  • BVDSS(V):

    -30/20

  • Rds(on)mΩ@10V:

    34/

  • Rds(on)mΩ@4.5V:

    52/20

  • Rds(on)mΩ@2.5V:

    26

  • ID(A):

    -6/8

  • Qg(nC)@4.5V(typ):

    12/11

  • RθJC(℃/W):

    62.5

  • Pd(W):

    2

  • Configuration:

    Dual

  • Polarity:

    NP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SO-8
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