AMD A55E FCH

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AXIOMTEK

艾讯科技

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 2.8A, RDS(ON) = 125mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

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CET-MOS

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 2.9A, RDS(ON) = 120mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RDS(ON) = 130mW @VGS = 5V. RDS(ON) = 145mW @VGS = 3V. Pb-free lead plating ; RoHS compliant. Halogen Free. Applicati

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CET-MOS

华瑞

4 SATA-600 with RAID 0, 1, 5, 10

文件：253.88 Kbytes 页数：1 Pages

AXIOMTEK

艾讯科技

COM Express Type 2 Basic Module with AMD G-Series APU and AMD A55E

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AXIOMTEK

艾讯科技

AMD A55E FCH

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AXIOMTEK

艾讯科技

AMD A55E FCH

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AXIOMTEK

艾讯科技

4 SATA-600 with RAID 0, 1, 5, 10

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AXIOMTEK

艾讯科技

4 SATA-600 with RAID 0, 1, 5, 10

文件：253.88 Kbytes 页数：1 Pages

AXIOMTEK

艾讯科技

N Channel MOSFET

CET

华瑞